高真空磁控濺射鍍膜機 JCP200設備概述
1、適用：大專院校、科研院所及企業(yè)進行薄膜新材料的科研與小批量制備。
2、產(chǎn)品特點/用途：
? 設備可濺射/蒸發(fā)兩用；占地面積小，價格便宜，性能穩(wěn)定，使用維護成本低；
? 可用于制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、磁性膜、傳感器膜及耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕膜等；
? 鍍膜示例：銀、鋁、銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等；
? 單靶濺射、多靶依次濺射、共同濺射等功能。
高真空磁控濺射鍍膜機 JCP200技術參數(shù)
| 型號 | JCP200 |
| 真空腔室結構 | 立式上開蓋結構，下置抽氣系統(tǒng)，手動氣彈簧提開式 |
| 真空腔室尺寸 | Φ220×H300mm |
| 加熱溫度 | 室溫～500℃ |
| 濺射方式 | 向上濺射 |
| 旋轉基片臺 | Φ100mm |
| 膜厚不均勻性 | Φ50mm范圍內≤±5.0% |
| 濺射靶/蒸發(fā)電極 | Φ2英寸磁控靶1支，兼容DC/RF濺射 |
| 工藝氣體 | 1-2路氣體流量控制 |
| 控制方式 | PLC觸摸屏控制 |
| 占地面積 | （主機）L600×W800×H1700mm |
| 總功率 | ≥6KW |
北京泰科諾科技有限公司自2003年成立以來，一直專注于真空設備的研發(fā)、設計、制造，是一家集真空薄膜新材料沉積設備、真空技術應用設備等相關設備及其工藝的研發(fā)、設計、制造、銷售、服務于一體的*。
公司的研發(fā)中試孵化基地位于毗鄰雄安新區(qū)的任丘經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，距離未來的雄安高鐵站約20公里，占地面積20000㎡,不僅建有包括機加工、電氣、結構組裝，調試等多個中試生產(chǎn)車間和辦公樓以及其它輔助廠房；同時建有研發(fā)工藝、服務客戶的開放實驗室。公司還聘請了國內外真空行業(yè)zi深的專家、教授作為本公司的技術顧問，確保真空設備產(chǎn)品高水平，始終保持較強的自主研發(fā)能力、*的設計概念、領xian的技術優(yōu)勢。
