近期，嵌入式計(jì)算領(lǐng)域研華科技宣布 SQRAM 產(chǎn)品線新增3200/2933 DDR4 內(nèi)存模塊。隨著 SQRAM 開始采用* DRAM 技術(shù)，SQRAM DDR4 3200 系列也成為嵌入式市場研華頭款在寬溫條件下提供 3200 MHz 出色性能的產(chǎn)品。SQRAM DDR4 3200 系列可在 AMD C3000 產(chǎn)品系列中實(shí)現(xiàn) 3200 MHz 的高性能，因而成為惡劣環(huán)境下物聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算應(yīng)用的理想選擇。SQRAM DDR4 2933 系列功耗較低，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)2933MHz，容量從 8GB 到 64GB 不等。SQRAM DDR4 2933 系列與 Intel Xeon 可擴(kuò)展產(chǎn)品系列*兼容，適用于數(shù)據(jù)中心、工作站和企業(yè)級市場等 HPC 應(yīng)用。

新款超高速 3200MHz 寬溫 DDR4 DRAM
 

　　為加快處理 HPC 企業(yè)級和邊緣計(jì)算應(yīng)用中越來越復(fù)雜的海量數(shù)據(jù)，SQRAM DDR4 3200 系列提供包括 RDIMM、無緩沖 DIMM、SODIMM 和 ECC DIMM 等在內(nèi)的完整規(guī)格。該系列專為具有新 DDR4傳輸速度的 Intel Core i 處理器設(shè)計(jì)，速度是 DDR3 1600 的兩倍。數(shù)據(jù)傳輸速率可以向后下 2666 和 2400 的速度。該系列還包括寬溫范圍產(chǎn)品，適用于惡劣環(huán)境軍事或戶外應(yīng)用。
 

　　2933MHz 的出色速度和專有容量產(chǎn)品
 

　　研華全新 DDR4 RDIMM 模塊可提供高達(dá) 2933 MHz 的出色速度，較之前的 2666 MHz 版提高 10%。模塊工作電壓僅為 1.2V，在功耗降低的同時(shí)提供 64BG 高容量和專有高性價(jià)比 8GB 容量。此外，該系列兼容搭載 Intel  Xeon 處理器的服務(wù)器平臺，旨在有效處理繁重的大數(shù)據(jù)工作負(fù)載，以優(yōu)化服務(wù)器平臺性能。SQRAM DDR4 2933 系列*企業(yè)級市場和高性能計(jì)算應(yīng)用的繁重工作負(fù)載要求。
 

　　SQRAM DDR4 3200/2933 產(chǎn)品線
 

SQRAM DDR4 3200/2933 系列主要特點(diǎn)
 

　　SQRAM DDR4 3200/2933 系列主要特點(diǎn)
 

　　超快速度：3200/2933MHz
 

　　可用容量：8GB ~ 32GB
 

　　兼容 Intel Xeon/AMD 平臺
 

　　30u” 金手指
 

　　固定 BOM
 

　　高品質(zhì)原裝芯片(Hynix、Samsung)