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納米銀填充導電漿料研磨分散機分散機

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更新時間：2023-06-05 09:37:23瀏覽次數(shù)：178次

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產(chǎn)品簡介

納米銀填充導電漿料研磨分散機定子可以無限制的被調整到所需要的與轉子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。

詳細介紹

一、產(chǎn)品名稱概述：納米銀填充導電漿料研磨分散機,納米銀填充導電漿料分散機,納米銀導電漿料研磨分散機,納米銀導電漿料分散機

二、納米銀填充導電漿料的發(fā)展

導電漿料是發(fā)展電子元器件的基礎及封裝、電極和互聯(lián)的關鍵材料。隨著電子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向發(fā)展，國內外正在開展金屬導電填料納米化研究。其中，納米銀填充導電漿料備受關注。一般認為納米銀填充到基體中，由于粒子間的接觸點面積小，填料粒子數(shù)目增多導致接觸電阻增加。只有當納米銀間距離在一定范圍內時，由于隧道效應等使導電性增強，這主要與其顆粒大小和形貌、表面性質和燒結行為等密切相關。

導電漿料一般由2-3個基體部分組成，即導電相（金、銀、銅等）、有機載體（有機樹脂和溶劑）和粘結劑（硅酸鹽玻璃等）。

三、納米銀導電漿料簡介

銀具有較高的導電率、優(yōu)異的物理化學性能、可接受的價格及其氧化物也具有導電性能等特點廣泛用于導電填料。目前導電銀漿中的導電相主要是微米或亞微米銀粉，這些漿料已不能滿足低溫燒結和多層布線等新技術的要求。

由于納米銀的表面效應、小尺寸效應等，以納米銀作為導電填料可以提高導電和導熱性；減少銀用量，降低生產(chǎn)成本；降低固化溫度，使銀漿可以應用在PET模塊、柔性基板等；改善導電膠剪切強度等。除具有上述明顯的優(yōu)點外，也存在諸如漿料分散穩(wěn)定性較差，放置后極易出現(xiàn)納米銀的團聚和沉降，導電性能不穩(wěn)定和適用期短等問題。

四、納米銀填充導電漿料的制備方法

納米銀填充導電漿料的制備方法與微米銀漿料的制備方法相似，主要是將市售或自制的納米銀以干粉或液態(tài)形式，單一或與微米銀片混合，通過機械攪拌、高速剪切、超聲分散、高能球磨等方式分散到有機載體中。目前較為合適的為高速剪切的方式，主要優(yōu)勢為漿料適用性高、產(chǎn)量高、效率高。特別推薦SID希德機械XMD2000系列研磨分散機，轉速高達18000rpm，先研磨后分散，解決團聚問題，還原納米粒徑，得到多家廠家的認可和信任。

五、XMD2000系列研磨分散機特點

　　1、接觸過SID上海思峻的人都知道，SID膠體磨和SID分散機在行業(yè)就是較的設備，SID膠體磨和國內膠體磨相比、SID分散機和國內分散機相比都是存在巨大優(yōu)勢的，而SID研磨分散機又是將二者結合的設備，處理效果，不言而喻。SGN研磨分散機轉速可達14000rpm，是傳統(tǒng)分散機的4-5倍。

　　2、國內分散機的結構大都都是直連電機，分散機的主軸和電機直連，電機就決定了主軸的轉速。而進口分散機采用分體式結構，通過皮帶進行變速，國產(chǎn)設備由于結構的設計缺失、機械密封技術的不足的原因，以及改進后成本大幅度的提高問題，一直無法實現(xiàn)高速分散機的自主研發(fā)和生產(chǎn)。

　　3、SID高速剪切研磨分散機有很高的線速度，以及一級磨頭，特殊上深下淺的三層磨頭結構，一次處理即可滿足細化要求。一級刀頭形狀，可以把相對大塊的物料進行初步粉碎，以便能順利通過更細的兩級進行細微化研磨。磨頭齒列深度為從開始的 2.7mm 到末端的0.7mm，除了更精密之外，上深下淺的齒列結構，相較溝槽是直線，同級的溝槽深度一樣的磨頭，可以保證物料從上往下一直在進行研磨。雖和其它產(chǎn)品一樣磨頭采用三層磨齒，但他們只能在一級磨頭到另外一級磨頭形成研磨效果。二級分散盤，無論是在分散盤的結構、還是定轉子的間隙都有比其他分散盤要精密的多。

六、納米銀導電漿料研磨分散機參數(shù)表

型號	流量L/H	轉速rpm	線速度m/s	功率kw	入/出口連接DN
XMDD2000/4	300	18000	51	4	DN25/DN15
XMD2000/5	1000	13500	51	11	DN40/DN32
XMD2000/10	2000	9260	51	22	DN80/DN65
XMD2000/20	5000	3664	51	37	DN80/DN65
XMD2000/30	8000	1825	51	55	DN150/DN125