太赫茲（THz）光源波長較大，一般在300微米左右。由于衍射極限的存在，THz遠場測量系統(tǒng)的光學空間分辨率一般被限制在150微米左右。該THz光遠場測量結(jié)果的準確度經(jīng)常無法滿足對材料科學研究，尤其是需要納米分辨率的微細尺度材料分布研究（例如半導體芯片中各個組成：源極，漏極，柵極）的實驗。太赫茲近場光學顯微鏡（THz-NeaSNOM）的出現(xiàn)為此難題提供了一個很好的解決方案。

詳細介紹

太赫茲近場光學顯微鏡 THz-NeaSNOM

---30nm光學信號空間分辨率

產(chǎn)品簡介：

太赫茲（THz）光源波長較大，一般在300微米左右。由于衍射極限的存在，THz遠場測量系統(tǒng)的光學空間分辨率一般被限制在150微米左右。該THz光遠場測量結(jié)果的準確度經(jīng)常無法滿足對材料科學研究，尤其是需要納米分辨率的微細尺度材料分布研究（例如半導體芯片中各個組成：源極，漏極，柵極）的實驗。THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡的出現(xiàn)為此難題提供了一個很好的解決方案。

德國neaspec公司與Fraunhofer IPM在neaspec公司neaSNOM近場光學顯微鏡的基礎(chǔ)上，已經(jīng)成功研發(fā)了一套易用使用且THz系統(tǒng)的空間分辨率達到30nm的實驗設(shè)備。

THz-NeaSNOM主要技術(shù)參數(shù)與特點：

+優(yōu)于30nm的空間分辨率

+常用THz光范圍：0.1-3THz

+寬波段拋面鏡

+THz研究可使用商業(yè)化的AFM探針

+THz-TDS使用飛秒激光光源

+簡單易用，穩(wěn)定性高

應用案例：

THz-NeaSNOM 30nm空間分辨率

THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡（下圖左）對半導體結(jié)構(gòu)的測量結(jié)果圖。

該結(jié)果表明硅襯底（上圖左，灰色）上的SiO（一氧化硅）的尺寸大約在1.5×1 平方微米。通過分析左側(cè)的高度數(shù)據(jù)，可以知道該一氧化硅結(jié)構(gòu)僅僅只有大約22納米厚度。雖然該層狀結(jié)構(gòu)非常薄，但THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡（下圖左）在測量高度的同時仍然能夠記錄該結(jié)構(gòu)與襯底的近場光學信號的明顯不同襯度的結(jié)果。該THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡不僅在測量非常薄樣品的時候靈敏度非常高，而且通過分析近場光學信號數(shù)據(jù)（下圖右）也證實了它超高的空間分辨率（~25-30nm）。