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李女士
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目錄:廣電計量檢測集團股份有限公司>>元器件篩選及失效分析>>電力電子與新能源>> 第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測試 電力電子器件
服務(wù)范圍
第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測試 電力電子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。
檢測標(biāo)準(zhǔn)
l AEC-Q101分立器件認(rèn)證
l MIL-STD-750半導(dǎo)體器件試驗?法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半導(dǎo)體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
l AQG324功率模塊?規(guī)認(rèn)證
檢測項目
| 試驗類型 | 試驗項? |
| 靜態(tài)參數(shù) | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 動態(tài)參數(shù) | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他參數(shù) | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測試 電力電子器件:功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，其中，IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破，第三代半導(dǎo)體功率器件也開始由實驗室階段步?商業(yè)應(yīng)用。通常這些新型器件測試要求更?的電壓和功率?平，更快的開關(guān)時間，對測試設(shè)備及人員技術(shù)要求?，在研發(fā)時間與成本的雙重壓力下，全參數(shù)測試成為不少制造商的難題。
我們的優(yōu)勢
廣電計量積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測試業(yè)務(wù)，引進(jìn)先進(jìn)的測試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測服務(wù)。同時，廣電計量通過構(gòu)筑檢測認(rèn)證與分析?體化平臺，為客?提供器件可靠性驗證及失效分析，幫助客戶分析失效機理，指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計及?藝改進(jìn)。
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